ბიზნესის, ტექნოლოგიის და განათლების
ფაკულტეტი
ილიას სახელმწიფო უნივერსიტეტი

პროფესორი, ფიზიკის მიმართულებით (კვანტური ეფექტები ნანოსტრუქტურაში)





ავთავდილ თავხელიძემ დაამთავრა თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი (ფიზიკა), 1982. დაიცვა საკანდიდატო დისერტაცია მოსკოვის სახელმწიფო უნივერსიტეტში  თემაზე – „მაღალტემპერატურული ზეგამტარობა“ 1991 წელს. მუშაობდა – ბირთვული კვლევების გაერთიანებულ ინსტიტუტში, დუბნა, რუსეთი,  1982-1984; მოსკოვის სახელმწიფო უნივერსიტეტში, რუსეთი, 1986-1992, პაულ შერეის ინსტიტუტში, ციურიხი, შვეიცარია 1993; ფიზინა ტექნიკური ინსტიტუტში, ბრაუნშვაიგი, გერმანია 1994; დანიის ტექნიკური უნივერსიტეტში, ლინგბი, დანია 1994-1997; ბორეალის ტექნიკალში, პორტლანდი, აშშ, 1997-2007; თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტში, 2007-2010. ილიას სახელმწიფო უნივერსიტეტში მუშაობს 2011 წლიდან.

სამეცნიერო ინტერესის სფეროები / კვლევითი ინტერესები

  • გეომეტრიით განპირობებული კვანტური ეფექტები
  • ნანომესრული ფენების ელექტრონული, ოპტიკური და მაგნიტური თვისებები
  • ენერგიის გარდამქმნელები ნანომესრული ფენების ბაზაზე
  • მაღალტემპერატურული ზეგამტარობა

A. Tavkhelidze, L. Jangidze and G. Skhiladze, G-doping based nanostructured p-p(v) junction,
Mater. Res. Express, 6, 075049 (2019)

A. Tavkhelidze, G. Grabecki, L. Jangidze, I. Yahniuk, Z. Taliashvili, and B. Taliashvili, Negative Magnetoresistance in Si Nanograting Layers, Phys. Status Solidi A, 216, 1800693 (2019)

A. Tavkhelidze, L. Jangidze, M. Mebonia, K. Piotrowski, J. Więckowski, Z. Taliashvili, G. Skhiladze and L. Nadaraia, Geometry-induced quantum effects in periodic nanostructures, Physica Staus Solidi A, 214 (7), 1700334 (2017).
D. Kakulia , A. Tavkhelidze, V. Gogoberidze, M. Mebonia, Density of quantum states in quasi-1D layers, Physica E, v. 78, pp. 49-55 (2016).
A. Tavkhelidze, Geometry-induced electron doping in periodic semiconductor nanostructures, Physica E, v. 60, pp. 4-10 (2014).
Z. Taliashvili, A. Tavkhelidze, L. Jangidze, Y. Blagidze, Vacuum nanogap formation in multilayer structures by an adhesion-controlled process, Thin Solid Films, v. 542, pp 399-403 (2013).
L. Jangidze, A. Tavkhelidze, Y. Blagidze, and Z. Taliashvili, Electroplating of Conformal Electrodes for Vacuum Nanogap Tunnel Junction, J. Electrochem. Soc., 159 (7), D413-D417 (2012).
A. N. Tavkhelidze, Nanostructured electrodes for thermionic and thermo-tunnel devices, J. Appl. Phys. 108, 044313 (2010).
A. Tavkhelidze, Large enhancement of the thermoelectric figure of merit in a ridged quantum well, Nanotechnology, 20, 405401 (2009) .
A. Tavkhelidze, V. Svanidze, and L. Tsakadze, Thermotunnel refrigerator with vacuum/insulator tunnel barrier: A theoretical analysis, J. Vac. Sci. Technol. A, v.26, pp. 5-7, (2008).
A. Tavkhelidze, V. Svanidze and I. Noselidze, Fermi gas energetics in low-dimensional metals of special geometry, J. Vac. Sci. Technol. B, v. 25, p. 1270, (2007).
A. Tavkhelidze, A. Bibilashvili, L. Jangidze, A. Shimkunas, P. Mauger, G. F. Rempfer, L. Almaraz, T. Dixon and M. E. Kordesch, Observation of Quantum Interference Effect in Solids, J. Vac. Sci. Technol. B 24, p. 1413 (2006).
A.N.Tavkhelidze and J. Mygind, Low-frequency noise in Single Electron Tunnelling transistor, J. Appl. Phys., v.83, pp. 310-317, (1998).
L.S.Kuzmin, Yu.A.Pashkin, A.N.Tavkhelidze, F.J.Ahlers, T.Weimann, D.Quenter, and J.Niemeyer, An All-Chromium Single Electron Transistor – a Possible Element of Single Electronics, Appl. Phys. Lett. 68, p. 2902 (1996).

პუბლიკაციების ვრცელი სია 

მიმდინარე სალექციო კურსები

სალექციო კურსების კატალოგი

საბაკალავრო კურსი: შესავალი ელექტრონიკაში, სიგნალები და გაზომვები
საბაკალავრო კურსი: ექპერიმენტის ავტომატიზაცია, LabVIEW
საბაკალავრო კურსი: მასალების ელექტრული, მაგნიტური და ოპტიკური თვისებები
სამაგისტრო კურსი: ნანოსტრუქტურების გაზრდის ტექნოლოგია
სამაგისტრო კურსი: კვანტური ხელსაწყოების ფიზიკა