ბიზნესის, ტექნოლოგიის და განათლების
ფაკულტეტი
ილიას სახელმწიფო უნივერსიტეტი

პროფესორი, ფიზიკის მიმართულებით (კვანტური ეფექტები ნანოსტრუქტურაში)





ავთავდილ თავხელიძემ დაამთავრა თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი (ფიზიკა), 1982. დაიცვა საკანდიდატო დისერტაცია მოსკოვის სახელმწიფო უნივერსიტეტში  თემაზე – „მაღალტემპერატურული ზეგამტარობა“ 1991 წელს. მუშაობდა – ბირთვული კვლევების გაერთიანებულ ინსტიტუტში, დუბნა, რუსეთი,  1982-1984; მოსკოვის სახელმწიფო უნივერსიტეტში, რუსეთი, 1986-1992, პაულ შერეის ინსტიტუტში, ციურიხი, შვეიცარია 1993; ფიზინა ტექნიკური ინსტიტუტში, ბრაუნშვაიგი, გერმანია 1994; დანიის ტექნიკური უნივერსიტეტში, ლინგბი, დანია 1994-1997; ბორეალის ტექნიკალში, პორტლანდი, აშშ, 1997-2007; თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტში, 2007-2010; სან დიეგოს სახელმწიფო უნივერსიტეტის საქართველოს ფაკულტეტი, 2019-2022; ილიას სახელმწიფო უნივერსიტეტში მუშაობს 2011 წლიდან.

სამეცნიერო ინტერესის სფეროები / კვლევითი ინტერესები

  • გეომეტრიით განპირობებული კვანტური ეფექტები
  • ნანომესრული ფენების ელექტრონული, ოპტიკური და მაგნიტური თვისებები
  • ენერგიის გარდამქმნელები ნანომესრული ფენების ბაზაზე
  • მაღალტემპერატურული ზეგამტარობა

Tavkhelidze, L. Jangidze, Z. Taliashvili, N. E. Gorji , G-Doping-Based Metal-Semiconductor Junction

Coatings, 11, 945 (2021). https://doi.org/10.3390/coatings11080945

Tavkhelidze, A. Bibilashvili, L. Jangidze, N.E. Gorji , Fermi-Level Tuning of G-Doped Layers Nanomaterials 11, 505 (2021). https://doi.org/10.3390/nano11020505

Tavkhelidze, G-doping junction-formation mechanism, Semicond. Sci. Technol. 35 075005 (2020). https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab8703

C.Samoila, D. Ursutiu, A. Tavkhelidze, L. Jangidze, Z. Taliashvili, G. Skhiladze and M. H. Tierean Nanograting layers of Si, Nanotechnology 31 035301 (2020). https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab4889

Bayramov, E. Alizade, S. Mammadov, A. Tavkhelidze, N. Mamedov, Y. Aliyeva, K. Ahmedova, S. Asadullayeva, L. Jangidze, and G. Skhiladze, Optical properties of surface grated Si-based multilayer structure, J. Vac. Sci. Technol. B 37, 061807 (2019). https://doi.org/10.1116/1.5120799

Tavkhelidze,L. Jangidze andG. Skhiladze, G-doping based nanostructured p-p(v) junction,

Mater. Res. Express, 6, 075049 (2019) https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab179a

Tavkhelidze, G. Grabecki, L. Jangidze, I. Yahniuk, Z. Taliashvili, and B. Taliashvili, Negative Magnetoresistance in Si Nanograting Layers, Phys. Status Solidi A, 216, 1800693 (2019). https://doi.org/10.1002/pssa.201800693

Tavkhelidze, L. Jangidze, M. Mebonia, K. Piotrowski, J. Więckowski, Z. Taliashvili, G. Skhiladze and L. Nadaraia, Geometry-induced quantum effects in periodic nanostructures, Physica Staus Solidi A, 214 (7), 1700334 (2017). https://doi.org/10.1002/pssa.201700334

Kakulia , A. Tavkhelidze, V. Gogoberidze, M. Mebonia, Density of quantum states in quasi-1D layers, Physica E, v. 78, pp. 49-55 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2015.11.033

Tavkhelidze, Geometry-induced electron doping in periodic semiconductor nanostructures, Physica E, v. 60, pp. 4-10 (2014). https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.01.028

Taliashvili, A. Tavkhelidze, L. Jangidze, Y. Blagidze, Vacuum nanogap formation in multilayer structures by an adhesion-controlled process, Thin Solid Films, v. 542, pp 399-403 (2013). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.06.089

Jangidze, A. Tavkhelidze, Y. Blagidze, and Z. Taliashvili, Electroplating of Conformal Electrodes for Vacuum Nanogap Tunnel Junction, J. Electrochem. Soc., 159 (7), D413-D417 (2012). doi:10.1149/2.025207jes

N. Tavkhelidze, Nanostructured electrodes for thermionic and thermo-tunnel devices, J. Appl. Phys. 108, 044313 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3464256

Tavkhelidze, Large enhancement of the thermoelectric figure of merit in a ridged quantum well, Nanotechnology, 20, 405401 (2009). https://doi.org/10.1088/0957-4484/20/40/405401

Tavkhelidze, V. Svanidze, and L. Tsakadze, Thermotunnel refrigerator with vacuum/insulator tunnel barrier: A theoretical analysis, J. Vac. Sci. Technol. A, v.26, pp. 5-7, (2008). https://doi.org/10.1116/1.2803717

Tavkhelidze, V. Svanidze and I. Noselidze, Fermi gas energetics in low-dimensional metals of special geometry, J. Vac. Sci. Technol. B, v. 25, p. 1270, (2007). https://doi.org/10.1116/1.2753852

Tavkhelidze, A. Bibilashvili, L. Jangidze, A. Shimkunas, P. Mauger, G. F. Rempfer, L. Almaraz, T. Dixon and M. E. Kordesch, Observation of Quantum Interference Effect in Solids, J. Vac. Sci. Technol. B 24, p. 1413 (2006). https://doi.org/10.1116/1.2198856

A.N.Tavkhelidze and J. Mygind, Low-frequency noise in Single Electron Tunnelling transistor, J. Appl. Phys., v.83, pp. 310-317, (1998). https://doi.org/10.1063/1.366685

L.S.Kuzmin, Yu.A.Pashkin, A.N.Tavkhelidze, F.J.Ahlers, T.Weimann, D.Quenter, and J.Niemeyer, An All-Chromium Single Electron Transistor – a Possible Element of Single Electronics, Appl. Phys. Lett. 68, p. 2902 (1996). https://doi.org/10.1063/1.116326

პუბლიკაციების ვრცელი სია>>>  

 

მიმდინარე სალექციო კურსები

სალექციო კურსების კატალოგი

  • ექსპერიმენტის ავტომატიზაცია, LabVIEW;
  • რიცხვითი ანალიზი (ENG); რიცხვითი მეთოდების საფუძვლები (ENG);
  • საბაკალავრო ნაშრომი (ფიზიკოსებისთვის);
  • ფიზიკის საფუძვლები II (ENG)
  • ფიზიკის საფუძვლები I (including Lab) (ENG);
  • შესავალი ელექტრონიკაში, სიგნალები და გაზომვები;
  • შესავალი ნახევარგამტარების ფიზიკაში